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4H-SiC晶体基片

发布时间：1970-01-01 00:00:00 浏览次数：190

产品介绍：

4H-SiC晶体基片是碳化硅（SiC）的一种晶体类型，碳化硅有大约250种晶体类型，包括3C、4H和6H等，但4H-SiC尤其受到人们的关注。"4H"代表六角晶型，数字“4”表示C-Si双原子层沿C方向的堆垛周期数。

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产品名称	4H-SiC晶体基片
技术参数	晶体结构: 六方晶系
	晶格常数：a=3.08Å c=10.05Å
	熔点2827℃
	硬度(Mohs)：≈9.2
	方向：生长轴或偏(0001) 3.5°
	密度（g/cm3）3.16
	带隙：2.93eV (间接)
	导电类型：N导电
	电阻率:0.1-0.01 ohm-cm
	介电常数：e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33
	导电率：5W / cm·K
	生长方式：MOCVD(有机金属化学气相沉积）
产品规格	常规晶向：
	常规尺寸：10x5mm 10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm
	抛光情况：单抛、双抛抛光面：常规单抛为“Si” 面抛光，可按要求做“C”面抛光
	抛光面粗糙度：< 15A注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷	人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。
标准包装	1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装