设备特点：

1、温度控制精准：三温区设计使得系统能够实现更精准的温度控制，满足不同材料和工艺对温度的需求。通过三个PID温度控制器，可以分别控制不同区域的温度，确保整个沉积过程在理想的温度范围内进行。

2、沉积速度快：相比传统的化学气相沉积（CVD）技术，PECVD系统具有更高的沉积速率。这主要得益于等离子体的作用，使得反应气体在较低的温度下就能发生化学反应，从而加快了沉积速度。

膜层均匀性好：通过射频电源的频率控制，可以精确调节所沉积薄膜的应力大小，从而保证膜层的均匀性和一致性。这种精确控制对于制备高质量、高性能的薄膜材料至关重要。

3、操作稳定性高：三温区PECVD系统采用先进的真空系统和多通道质子混气系统，确保了系统的稳定性和可靠性。在长时间运行过程中，系统能够保持稳定的沉积速率和膜层质量，满足大规模生产的需求。

4、应用广泛：该系统可广泛应用于生长纳米线、石墨烯及薄膜材料等领域。例如，在太阳能电池领域，PECVD技术被用于制备高质量的硅基薄膜太阳能电池；在微电子领域，PECVD技术被用于制备各种薄膜材料，如SiO2、SiNx等。

NBD-O1200-TS3-4ZD-PE

CVD系统

380V 50HZ

1200℃

1150℃

7"

200+200+200mm（三温三控）

9KW

传感器类型

石英管Φ80*1400mm

推荐升温速率

机械泵抽气速率

3~5Pa 配数显真空计

进气系统

炉体外形尺寸

规格型号②

名称②

射频频率

射频功率输出范围

外形尺寸

500W

控制系统

1、烧结工艺曲线设置：动态显示设置曲线，设备烧结可预存多条工艺曲线，每条工艺曲线可自由设置；

2、可预约烧结，实现无人值守烧结工艺曲线烧结；

3、实时显示烧结功率电压等信息并记录烧结数据，并可导出实现无纸记录；

4、具有实现远程操控，实时观测设备状态；

5、温度校正：主控温度和试样温度的差值，烧结全程进行非线性修正

温度精度

±1℃

压力测量与监控

采用机械压力表，表外壳为气密型结构，能有效保护内部机件免受环境影响和杂物侵入，同时具有较强的耐腐蚀和耐高温的能力。

供气系统

采用浮子流量计控制气体流速，与设备一体化，且出厂前已进行漏气测试工作。

净重

280kg

设备使用注意事项

1、设备炉膛温度≥300℃时，禁止打开炉膛，避免受到伤害；

2、设备使用时，炉管内压力不得超过0.125MPa（绝对压力），以防止压力过大造成设备损坏；

3、真空下使用时，设备使用温度不得超过800℃。

4、供气钢瓶内部气压较高，向炉管内通入气体时，气瓶上必须安装减压阀，建议在选购试验用小压力减压阀，减压阀量程为0.01MPa-0.15MPa,使用时会更加精确安全。

5、当炉体温度高于1000℃时，炉管内不可处于真空状态，炉管内的气压需和大气压 相当，保持在常压状态；

6、高纯石英管的长时间使用温度≦1100℃

7、加热的实验时，不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热，则需时刻关注压力表的示数，绝对压力表读数不要大于0.15MPa，必须立刻打开排气端阀门，以防意外发生（如炉 管破裂，法兰飞出等）。

服务支持

一年有限保修，提供终身支持（保修范围内不包括易耗部件，例如处理管和O形圈，请在下面的相关产品处订购更换件。）