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PMN-PT晶体
发布时间:1970-01-01 00:00:00 浏览次数:368
产品介绍:
PMN-PT晶体是一种新型的压电材料,具有高压电常数、大机电耦合系数、高介电常数、低损耗的特性,尤其其压电性能比普通的压电材料要提高10倍左右
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产品名称 PMN-PT晶体基片 技术参数 晶体结构:赝立方晶系 晶格常数:a=~4.024 Å 密度:8.1 g/cm3 熔点:1280°C 硬度: 3.5mohs 热膨胀系数10.4x10-6/K 耦合常数:k33(longitudinal
mode) >92%kt(thickness mode) 59-62%k33'(beam mode) 84-88% 压电系数d33 :>2000 pC/N 介电常数e(at 1kHz after poling) :4000 – 6000 介电损耗:tan d<0.9居 里温度 :135-150°C 生长方法:坩埚下降法 产品规格 常规晶向: 晶向公差: ±0.5° 常规尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm 抛光情况:单抛、双抛、细磨 抛光面粗糙度:Ra<15A (单晶内部有畴) 注:尺寸及方向可按照客户要求定做。 晶体缺陷 人工金属单晶存在常见晶体缺陷等。 标准包装: 1000级超净室,100级超净袋封装
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