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PMN-PT晶体

发布时间:1970-01-01 00:00:00  浏览次数:368

产品介绍:

PMN-PT晶体是一种新型的压电材料,具有高压电常数、大机电耦合系数、高介电常数、低损耗的特性,尤其其压电性能比普通的压电材料要提高10倍左右

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产品名称

PMN-PT晶体基片

技术参数

晶体结构:赝立方晶系

晶格常数:a=~4.024 Å

密度:8.1 g/cm3

熔点:1280°C

硬度: 3.5mohs

热膨胀系数10.4x10-6/K

耦合常数:k33(longitudinal mode) >92%kt(thickness mode) 59-62%k33'(beam mode) 84-88%

压电系数d33 >2000 pC/N

介电常数e(at 1kHz after poling) 4000 6000

介电损耗:tan d<0.9

里温度 135-150°C

生长方法:坩埚下降法

产品规格

常规晶向:

晶向公差: ±0.5°

常规尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm5x5x0.5mm

抛光情况:单抛、双抛、细磨

抛光面粗糙度:Ra<15A (单晶内部有畴)

注:尺寸及方向可按照客户要求定做。

晶体缺陷

人工金属单晶存在常见晶体缺陷等。

标准包装:

1000级超净室,100级超净袋封装






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