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MgO:LiNbO3(掺镁铌酸锂)晶片

发布时间：1970-01-01 00:00:00 浏览次数：327

产品介绍：

MgO:LiNbO3晶片纯同成份铌酸锂晶体的缺点是抗激光损伤阙值很低，这限制了它的应用领域。当掺入5mol%MgO后，所生长MgO:LN晶体的抗激光损伤阙值提高1-2个数量级，极化反转电压从21KV/mm降至6KV/mm，紫外吸收边紫移至310mm，OH-吸收峰红移至3535cm-1,这些变化极大的拓展了LN晶体的应用范围。

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产品名称	光学级掺镁铌酸锂（MgO:LiNbO3)晶片
产品规格	晶体结构：三方晶系
	晶格常数：a=5.147Å c=13.856Å
	密度：4.7g/cm3
	熔点：1253℃
	生长方法：提拉法
产品规格：	常规晶向：Z cut
	晶向公差：±0.5°
	常规尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm5x5x0.5mm
	抛光情况：单抛、双抛、细磨
	注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷：	人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。
标准包装：	1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装