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MoTe2二碲化钼

发布时间:1970-01-01 00:00:00  浏览次数:306


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产品名称

MoTe2二碲化钼

技术参数

类型:CVD法人工合

成纯度:>99.99

外观:黑色

电导:半导体

带隙:块体直接带隙 0.8 eV,单层直接带隙 1.24 eV

常规尺寸:~ 3x3x0.1 mm 面积≥10平方毫米

晶体结构:六方晶系

生长方法:化学气相传输

晶体常数:a=b=3.83Å   c=13.96Å α=β=90° γ=120°

标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

晶体材料咨询电话:199-5653-2471王经理




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