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InSb（锑化铟）晶体

发布时间：1970-01-01 00:00:00 浏览次数：400

产品介绍：

InSb晶体在III-V族半导体中，InSb化合物具有最窄禁带宽度、最高电子迁移率、最小有效质量和g 因子，是制备高速低功耗电子器件、红外光电子器件及进行自旋电子学研究与拓扑量子计算等前沿物理探索的理想材料。

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InSb晶体在III-V族半导体中，InSb化合物具有最窄禁带宽度、最高电子迁移率、最小有效质量和g 因子，是制备高速低功耗电子器件、红外光电子器件及进行自旋电子学研究与拓扑量子计算等前沿物理探索的理想材料。

产品名称	锑化铟(InSb)晶体基片
技术参数	晶体结构：立方晶
	晶格常数：6.06 Å
	硬度（Mohs）：3.8
	密度：5.66g/cm³
	熔点：942℃
	掺杂：None;Te;Ge
	导电类型：N型和 P型
	载流子浓度：1-5x10¹⁴ 1-2x10¹⁵
	位错密度：<2x102 cm^-2
	生长方法：FZ 或 LCE
产品规格	常规晶向：（100）
	公差：±0.5º
	常规尺寸：dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm
	抛光情况：单抛双抛
	表面粗糙度：<15Å
	注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷	人工金属单晶存在常见晶体缺陷等。
标准包装	1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装。