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InAs（砷化铟）晶体基片
发布时间： 2024-03-30 14:20:13 浏览次数：400
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产品名称 | 砷化铟（InAs）晶体 |
技术参数 | 晶体结构：立方晶系 |
晶格常数：a=5.4505 Å | |
掺杂类型：不掺杂 | |
导电类型：N | |
载流子浓度：2 ~ 5E16 / cm3 | |
迁移率：>18500cm2/V.S | |
生长方法：CZ | |
产品规格 | 常规晶向： |
常规尺寸：2"x0.5mm 10x10x0.5mm | |
抛光情况：单抛 双抛 | |
表面粗糙度：<15A | |
注：尺寸及方向可按照客户要求定做。 | |
晶体缺陷 | 人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
标准包装 | 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装。 |
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