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Ge（锗）晶体
发布时间：1970-01-01 00:00:00 浏览次数：428
产品介绍：
Ge(锗)主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。
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产品名称 Ge晶体基片 技术参数 晶体结构：立方晶系 晶格常数：5.6754 Å 密度：5.323 g/cm3 熔点：937.4 ℃ 介电常数：16.2 热导率（w/m·k）：60.2 掺杂物质：不掺杂；掺Sb；掺In或Ga； 类型：N型 和 P型 电阻率 W·cm：>35 0.05 0.05-0.1 EPD:< 4x103/cm2 < 4x103/cm2 < 4x103/cm2 生长方法：直拉法 产品规格 常规晶向：、、 晶向公差：±0.5° 常规尺寸：10x10x0.5mm，10x5x0.5mm,dia2",dia3" 抛光情况：单抛、双抛 表面粗糙度：< 5A 注：尺寸及方向可按照客户要求定做。 晶体缺陷 人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 标准包装 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装
晶体材料咨询电话：199-5653-2471王经理
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