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CdS(硫化镉)晶体基片

发布时间:2024-3-22 9:04:52  浏览次数:293

CdS晶体II - VI族晶体有可能在不久的将来用于突出拍摄上。他们的直接带隙的性质和大范围的透明度以及一个带隙,为有趣的设备提供了广泛选择的可能性。



产品名称

硫化镉(CdS)晶体基片

技术参数

晶体结构:六方晶系

晶格常数:a=4.1367  c=6.7161

密度:4.821g/cm3

熔点:1287

折射率:no=1.708    ne=1.723 

导热系数:2.7W /m.k @ 300K

透过波长:2.5 ~ 15 (>71%)um

介电常数:8.9              

产品规格

常规晶向:(0001)

晶向公差:±1°

常规尺寸:10x10x0.5mm10x5x0.5mm5x5x0.5mm

抛光情况:单抛、双抛

抛光面粗糙度:15A

注:可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。

晶体缺陷

人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。

标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

晶体材料咨询电话:199-5653-2471王经理

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产品名称

硫化镉(CdS)晶体基片

技术参数

晶体结构:六方晶系

晶格常数:a=4.1367  c=6.7161

密度:4.821g/cm3

熔点:1287

折射率:no=1.708    ne=1.723 

导热系数:2.7W /m.k @ 300K

透过波长:2.5 ~ 15 (>71%)um

介电常数:8.9              

产品规格

常规晶向:(0001)

晶向公差:±1°

常规尺寸:10x10x0.5mm10x5x0.5mm5x5x0.5mm

抛光情况:单抛、双抛

抛光面粗糙度:15A

注:可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。

晶体缺陷

人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。

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技术参数

晶体结构:六方晶系

晶格常数:a=4.1367  c=6.7161

密度:4.821g/cm3

熔点:1287

折射率:no=1.708    ne=1.723 

导热系数:2.7W /m.k @ 300K

透过波长:2.5 ~ 15 (>71%)um

介电常数:8.9              

产品规格

常规晶向:(0001)

晶向公差:±1°

常规尺寸:10x10x0.5mm10x5x0.5mm5x5x0.5mm

抛光情况:单抛、双抛

抛光面粗糙度:15A

注:可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。

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硫化镉(CdS)晶体基片

技术参数

晶体结构:六方晶系

晶格常数:a=4.1367  c=6.7161

密度:4.821g/cm3

熔点:1287

折射率:no=1.708    ne=1.723 

导热系数:2.7W /m.k @ 300K

透过波长:2.5 ~ 15 (>71%)um

介电常数:8.9              

产品规格

常规晶向:(0001)

晶向公差:±1°

常规尺寸:10x10x0.5mm10x5x0.5mm5x5x0.5mm

抛光情况:单抛、双抛

抛光面粗糙度:15A

注:可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。

晶体缺陷

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晶体结构:六方晶系

晶格常数:a=4.1367  c=6.7161

密度:4.821g/cm3

熔点:1287

折射率:no=1.708    ne=1.723 

导热系数:2.7W /m.k @ 300K

透过波长:2.5 ~ 15 (>71%)um

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晶向公差:±1°

常规尺寸:10x10x0.5mm10x5x0.5mm5x5x0.5mm

抛光情况:单抛、双抛

抛光面粗糙度:15A

注:可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。

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