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AIN（氮化铝）单晶衬底
发布时间： 2024-03-16 09:29:38 浏览次数：569
产品介绍：
AIN单晶衬底是一种具有特殊性能的宽禁带半导体材料。
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晶体结构: | 六方晶系 |
晶格常数: | a=3.112Å;C=4.982Å |
密度: | 3.23g/cm3 |
热导率: | 285w/mk |
可用区域: | >80% |
EPD : | <1E5 cm-2 |
吸收系数: | <80 cm-1 |
常规晶向: | c平面(0001 |
常规晶向: | 士1° |
晶向公差: | 10x10x0.45mm±50μm、5x5x0.45mm±50μm |
常规尺寸: | 双抛 |
抛光情况: | A1面:CP抽光(RMS<0.8nm) |
抛光面粗糙度: | N面:光学抛光(RMS<3nm) |
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