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Gasb(锑化镓)单晶基片

发布时间：1970-01-01 00:00:00 浏览次数：363

GaSb单晶是的晶格常数与带隙在0.8~4.3um光谱范围内的各种三元、四元和III-V族化合物固熔体的晶格常数匹配，所以 GaSb可以作为衬底材料适合用作制备某些红外光纤传输的激光器和探测器，GaSb的晶格限制迁移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具有潜在的应用前景。

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GaSb单晶是的晶格常数与带隙在0.8~4.3um光谱范围内的各种三元、四元和III-V族化合物固熔体的晶格常数匹配，所以 GaSb可以作为衬底材料适合用作制备某些红外光纤传输的激光器和探测器，GaSb的晶格限制迁移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具有潜在的应用前景。

产品名称	锑化镓(GaSb)晶体基片
技术参数	晶体结构：立方晶系
	晶格常数：6.095Å
	硬度（Mohs）4.5
	密度：5.619 g/cm3
	熔点：710℃
	介电常数：15.7
	热膨胀系数：6.1×10-6/oK
	热导率：270 mW / cm.k at 300K
	掺杂类型：N型掺Te；P型不掺杂
	载流子浓度：1~2x10¹⁷ 1~5x10¹⁶ 1~5x10¹⁸ 2~6x10¹⁷ 1~5x10¹⁶
	位错密度：<103 cm^-2
	生长方法：LEC
产品规格	常规晶向：（100）、（110）、（111）
	常规尺寸：dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm
	抛光情况：单抛
	表面粗糙度：<15A
	注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷	人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。
标准包装	1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

晶体材料咨询电话：199-5653-2471王经理

GaSb单晶是的晶格常数与带隙在0.8~4.3um光谱范围内的各种三元、四元和III-V族化合物固熔体的晶格常数匹配，所以 GaSb可以作为衬底材料适合用作制备某些红外光纤传输的激光器和探测器，GaSb的晶格限制迁移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具有潜在的应用前景。

产品名称	锑化镓(GaSb)晶体基片
技术参数	晶体结构：立方晶系
	晶格常数：6.095Å
	硬度（Mohs）4.5
	密度：5.619 g/cm3
	熔点：710℃
	介电常数：15.7
	热膨胀系数：6.1×10-6/oK
	热导率：270 mW / cm.k at 300K
	掺杂类型：N型掺Te；P型不掺杂
	载流子浓度：1~2x10¹⁷ 1~5x10¹⁶ 1~5x10¹⁸ 2~6x10¹⁷ 1~5x10¹⁶
	位错密度：<103 cm^-2
	生长方法：LEC
产品规格	常规晶向：（100）、（110）、（111）
	常规尺寸：dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm
	抛光情况：单抛
	表面粗糙度：<15A
	注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷	人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。
标准包装	1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

晶体材料咨询电话：199-5653-2471王经理

GaSb单晶是的晶格常数与带隙在0.8~4.3um光谱范围内的各种三元、四元和III-V族化合物固熔体的晶格常数匹配，所以 GaSb可以作为衬底材料适合用作制备某些红外光纤传输的激光器和探测器，GaSb的晶格限制迁移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具有潜在的应用前景。

产品名称	锑化镓(GaSb)晶体基片
技术参数	晶体结构：立方晶系
	晶格常数：6.095Å
	硬度（Mohs）4.5
	密度：5.619 g/cm3
	熔点：710℃
	介电常数：15.7
	热膨胀系数：6.1×10-6/oK
	热导率：270 mW / cm.k at 300K
	掺杂类型：N型掺Te；P型不掺杂
	载流子浓度：1~2x10¹⁷ 1~5x10¹⁶ 1~5x10¹⁸ 2~6x10¹⁷ 1~5x10¹⁶
	位错密度：<103 cm^-2
	生长方法：LEC
产品规格	常规晶向：（100）、（110）、（111）
	常规尺寸：dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm
	抛光情况：单抛
	表面粗糙度：<15A
	注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷	人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。
标准包装	1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

晶体材料咨询电话：199-5653-2471王经理

GaSb单晶是的晶格常数与带隙在0.8~4.3um光谱范围内的各种三元、四元和III-V族化合物固熔体的晶格常数匹配，所以 GaSb可以作为衬底材料适合用作制备某些红外光纤传输的激光器和探测器，GaSb的晶格限制迁移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具有潜在的应用前景。

产品名称	锑化镓(GaSb)晶体基片
技术参数	晶体结构：立方晶系
	晶格常数：6.095Å
	硬度（Mohs）4.5
	密度：5.619 g/cm3
	熔点：710℃
	介电常数：15.7
	热膨胀系数：6.1×10-6/oK
	热导率：270 mW / cm.k at 300K
	掺杂类型：N型掺Te；P型不掺杂
	载流子浓度：1~2x10¹⁷ 1~5x10¹⁶ 1~5x10¹⁸ 2~6x10¹⁷ 1~5x10¹⁶
	位错密度：<103 cm^-2
	生长方法：LEC
产品规格	常规晶向：（100）、（110）、（111）
	常规尺寸：dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm
	抛光情况：单抛
	表面粗糙度：<15A
	注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷	人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。
标准包装	1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装