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PECVD系统（集成气化装置）

发布时间：1970-01-01 00:00:00 浏览次数：3106

设备简介：

该PECVD系统配置高精度全封闭式液体气化装置，为表面薄膜沉积实验提供包含有毒液体在内的气化条件。系统由高稳定性射频电源（200W，13.56MHz）、气体流量控制系统及真空系统组成，采用NBD-101EP集中总线控制技术的诺巴迪操作软件。利用等离子体特性来控制或影响气相反应和材料表面的化学反应过程，并在适当的温度下沉积薄膜。

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设备简介：

该PECVD系统配置高精度全封闭式液体气化装置，为表面薄膜沉积实验提供包含有毒液体在内的气化条件。系统由高稳定性射频电源（200W，13.56MHz）、气体流量控制系统及真空系统组成，采用NBD-101EP集中总线控制技术的诺巴迪操作软件。利用等离子体特性来控制或影响气相反应和材料表面的化学反应过程，并在适当的温度下沉积薄膜。PECVD淀积的薄膜具有优良的电学性能、良好的衬底附着性以及极佳的台阶覆盖性，正由于这些优点使其在超大规模集成电路、光电器件、MEMS等领域具有广泛的应用。

	主要特点： 1. 集成液体气化系统，可稳定提供包括有毒液体在内的反应气体条件； 2. 清洗镀膜一气呵成，杜绝二次污染； 3. 上开启式结构，方便观察试样； 4. 产品采用全自动控制方式，触摸屏，数字化显示； 5. 设备一体化程度高； 6. 稳定的射频电源，均匀的温度分布，提高成膜质量； 7. 出色的电磁波屏蔽方案，高效、安全！
设备型号	NBD-PE1200-80TID2FY
供电电源	AC220V 50/60HZ
控温精度	±1℃
触摸屏尺寸	7英寸
射频频率	13.56MHz
射频功率输出范围	0-200W
沉积加热额定功率	4.0KW
蒸发器额定功率	1.3KW
伴热带额定功率	75W
传感器类型	K型热电偶
沉积最高温度	1200℃
沉积额定温度	1150℃
蒸发器额定温度	400℃
伴热带额定温度	150℃
推荐升温速率	≤10/min
沉积管径	Φ80mm*1200mm
蒸发源管径	Φ50mm*80mm
蒸发源有效容积	50ml
PECVD 外形尺寸	长1500×高1280×深760mm
蒸发器外形尺寸	长410×高350×深210mm
气氛条件	混合气、真空等
机械泵抽气速率	16 立方米每小时
炉腔极限真空度	3~5Pa
法兰结构	航空铝快开模式；
操作系统	NBD-101EP集中总线控制集成系统，7"全触摸屏操控，智能模糊PID 控制；智能式人机对话模式；
真空测试	数字真空计获取装置；
设备细节
控制系统		1、烧结工艺曲线设置：动态显示设置曲线，设备烧结可预存多条工艺曲线，每条工艺曲线可自由设置； 2、可预约烧结，实现无人值守烧结工艺曲线烧结； 3、实时显示烧结功率电压等信息并记录烧结数据，并可导出实现无纸记录； 4、具有实现远程操控，实时观测设备状态； 5、温度校正：主控温度和试样温度的差值，烧结全程进行非线性修正。
部分界面
净重	约300KG
设备使用注意事项	1.射频匹配器一般处于自动匹配状态，一般功率需达到50W以上才能匹配； 2.若采用手动匹配，将功率设到60W左右，手动调谐匹配合适时，再增加功率
服务支持	一年有限保修，提供终身支持；